IPD100N06S4-03 دیتاشیت

IPD100N06S4-03

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IPD100N06S4-03
حجم فایل 62.7 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

مشاهده دیتاشیت IPD100N06S4-03

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies IPD100N06S4-03
  • Power Dissipation (Pd): 150W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 60V
  • Continuous Drain Current (Id): 100A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@90uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 3.5mΩ@10V,100A
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه